标签： 引脚 读写 FLASH 写入 扇区 擦除 Byte
最近在学习关于flash的知识，记录一下
flash的特性是，写数据只能将1写为0，0不能写为1。擦除数据是将所有数据都写为1。因此如果想在已经数据的flash上写入新的数据，则必须先擦除。
一、FLASH的块/扇区/页关系
| 每块 | 每扇区 | 每页 |
| 16扇区 | 16页 | 256 Byte（2048 bit） |
二、常用FLASH型号大小
| 型号 | W25Q80 | W25Q16 | W25Q32 |
| 块 | 16 | 32 | 64 |
| 扇区 | 256 | 512 | 1024 |
| 页 | 4096 | 8192 | 16384 |
| 字节数 | 1M Byte（8M bit） | 2M Byte（16M bit） | 4M Byte（32M bit） |
三、常用FLASH擦写规则
- 最小擦除单位：扇区
- 可选择擦除单位：扇区、块、全片
- 最大编程（写入）单位：页（ 256 Byte），大于256 Byte则需要循环写入。
- 最小编程（写入）单位：1 Byte，即一次可写入 1~256 Byte的任意长度字节。
- 未写入时FLASH里面的数据为全1，即0xFF。
- 只能由 1 —> 0 写入，不能由 0 —> 1 写入，即如果已经写入过了，则需要先擦除（擦除后数据变为全1）再写入。
- 示例：0xF0（1111 0000），即高4位可写入，低4位不可写入。
四、常用FLASH封装引脚定义
如图的 8-pin 是较常用的一种封装. 各 pin 的意义:
CS：chip select, 芯片使能引脚. CS拉高时, 芯片处理省电模式, 各数据引脚(D0/D1/D2/D3)处理高阻态；CS拉低时芯片工作, 数据引脚可以传输数据。
DO：(在CLK下降沿)输出数据或状态. 正常情况下只有DI/DO作为IO引脚, 启用 Quad 模式需要置QE(Quad Enable)位. QE=1时, WP和HOLD分别变为IO2,IO3.
WP：低电平有效, 保护状态寄存器不被写入。
GND：接地
DI：(在CLK上升沿)向 Flash 输入指令, 地址 或 数据.
CLK：提供输入输出操作的同步时钟.
HOLD：当多个芯片共用 SPI 总线时非常有用. HOLD 为低电平时, DO 引脚变为高阻态, 且此时 DI/CLK 上的信号被忽略. 相当于芯片此时不工作. 假设对一个 SPI FLASH 的页写操作只进行到一半, 此时一个中断来了, 另一个更高优先级的任务要占用 SPI 总线, 此时就可以使用 HOLD 拉低来暂停 SPI FLASH 内部的工作, 等到任务切换回来再让操作继续下去.
VCC：2.7 ~ 3.6V
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