Nand Flash闪存颗粒：SLC、MLC、TLC、QLC有什么区别

Nand Flash闪存颗粒中根据存储密度的差异可分为SLC、MLC、TLC和QLC四种，分别代表什么意思？有什么区别呢？今天 Agrade睿达就跟大家系统地梳理一下这些名词分别指什么，它们又有什么区别。

按照存储方式划分，NAND闪存已经发展了四代：

第一代SLC（Single-Level Cell）每单元可存储1比特数据(1bit/cell)，性能好、寿命长，可经受10万次编程/擦写循环，但容量低、成本高，如今已经非常罕见；

第二代MLC（Multi-Level Cell）每单元可存储2比特数据(2bits/cell)，性能、寿命、容量、成各方面比较均衡，可经受1万次编程/擦写循环，现在只有在少数高端 SSD中可以见到；

第三代TLC（Trinary-Level Cell）每单元可存储3比特数据(3bits/cell)，性能、寿命变差，只能经受3千次编程/擦写循环，但是容量可以做得更大，成本也可以更低，是当前最普及的；

第四代QLC（Quad-Level Cell）每单元可存储4比特数据(4bits/cell)，性能、寿命进一步变差，只能经受1000次编程/擦写循环，但是容量更容易提升，成本也继续降低。

SSD 固态硬盘一直在追求更大的容量和更低的成本，而存储单元是 固态硬盘的核心元件，选择SSD实际上就是在选择存储颗粒。所以会迫使Flash芯片厂商一直更新制程，以满足用户的需求。

Flash闪存颗粒中每Cell单元存储数据越多，单位面积容量就越高，但同时导致不同电压状态越多，越难控制，所以导致颗粒稳定性变差，寿命变低，各有利弊。相对于SLC来说，MLC的容量大了100%，寿命缩短为SLC的1/10；相对于MLC来说，TLC的容量大了50%，寿命缩短为MLC的1/3；相对于TLC来说，QLC的容量大了33%，寿命缩短为TLC的1/3。

目前在SLC、MLC、TLC、QLC闪存颗粒中，TLC已经是主角，QLC是未来发展趋势。QLC颗粒跟前几种颗粒相比最大的优势是价格便宜，容量大，虽然P/E寿命低，但是大容量的优点很好的弥补了这个弱点。TLC又有2D-TLC与3D-TLC两种，目前市面上以3D-TLC居多。3D-TLC又再细分为32层3D-TLC、64层3D-TLC、96层3D-TLC以及最新的128层3D-TLC。

我们来总结一下，简单来说，这四类闪存颗粒中，SLC的性能最优，价格也是最高，一般用作对于可靠性、稳定性和耐用性有极高要求的工业控制、航天军工、通信设备等企业级客户；MLC性能够用，稳定性比较好，价格适中，为工业级和车规级SSD应用主流；TLC是目前消费级SSD的主流，价格便宜，但可以通过高性能主控、主控算法来弥补、提高TLC闪存的性能；QLC是奔着更大容量和更低成本来的，相信QLC闪存颗粒会使得固态硬盘进入大容量廉价时代。