一种工业纯钛TA2的电解腐蚀剂及电解抛光腐蚀方法与流程

文档序号:11131232阅读:3442来源:国知局
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一种工业纯钛TA2的电解腐蚀剂及电解抛光腐蚀方法与制造工艺

本发明属于工业纯钛理化检测技术中金相组织检测领域,具体涉及一种工业纯钛TA2的电解腐蚀剂及电解抛光腐蚀方法。



背景技术:

钛及其钛合金已经越来越多的应用于航天航空领域,由于其密度比钢轻,机械强度却与钢相似,并且耐热性好,因此,获得越来越多人的关注。钛及其合金根据其室温稳定相分为:α钛合金,α-β两相钛合金和β钛合金,除此之外,还有两大类:近α钛合金和近β钛合金。对于α钛合金却存在金相制备的困难,而工业纯钛由于其柔软性就更加难以制备。工业纯钛在制样时需要更低的磨削速率和抛光速率。过多的磨抛过程会在α钛合金的金相截面上产生形变孪晶。纯钛在磨抛过程中会随着磨抛方向产生磨抛痕迹,类似于金属表面流动的现象。由于机械磨抛过程中,不能很好的满足金相样品的评定,电解腐蚀抛光作为一种新的制备技术获得越来越多试验人员的青睐。

电解腐蚀抛光是通过电化学的原理,将工业纯钛进行表面的电解,至此达到将样品抛光腐蚀的效果。它可以很好的将传统机械磨抛过程中产生的试样表面划痕,表面金属流动的现象消除,并且可以清晰明了的将工业纯钛的金相组织呈现出来。

工业纯钛TA2在电解抛光方面,还未见有很好抛光效果的电解抛光剂,一直以来也很少有人进行研究,其常用的腐蚀溶液为:蒸馏水85ml+氢氟酸10ml+硝酸5ml。一般而言对于双相钛合金,这种腐蚀剂的效果很好,但是对于工业纯钛TA2的腐蚀效果并不理想,并且当试样在磨抛完好的情况才能看见其组织。人为的手工进行磨抛需要操作人员有很好的工作经验来制备,但对于新实验操作人员不好操作。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种工业纯钛TA2的电解腐蚀剂及电解抛光腐蚀方法,该电解腐蚀剂腐蚀效果好、无污染、稳定性强,配制方法快速、高效;该电解抛光腐蚀方法效果好,腐蚀过程平稳,腐蚀后试样组织形貌显示效果好,可操作性强。

本发明是通过以下技术方案来实现:

一种工业纯钛TA2的电解腐蚀剂,该电解腐蚀剂中,HF:CH3CH2OH:水的体积比为:(8-10):(19-21):(35-37);且在该电解腐蚀剂中还添加有(NH-4)2S2O8,添加量为:每8-10mL HF添加1-1.2g(NH4)2S2O8

水为蒸馏水。

本发明还公开了一种工业纯钛TA2的电解抛光腐蚀方法,包括以下步骤:

1)将经预处理的工业纯钛TA2进行研磨及清洗处理,制成待腐蚀试样;

2)采用电解腐蚀剂在待腐蚀试样表面进行电解抛光腐蚀处理;

其中,所述电解腐蚀剂中,HF:CH3CH2OH:水的体积比为(8-10):(19-21):(35-37);且在该电解腐蚀剂中还添加有(NH4)2S2O8,添加量为:每8-10mL HF添加1-1.2g(NH4)2S2O8

所述电解抛光腐蚀处理条件为:

抛光电压:45-55V,电解液流量15-25,抛光时间45-55s;

腐蚀电压:20-25V,电解液流量15-25,腐蚀时间3-7s。

步骤1)所述的研磨是依次用120#、320#、600#或1000#的耐水砂纸进行研磨,且每一道研磨结束后都要读样品进行清洗,消除上一道工序的残留磨料。

经预处理的工业纯钛TA2是将退火态的工业纯钛TA2用牙托粉进行镶嵌然后固化所得。

水为蒸馏水。

与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:

本发明公开的工业纯钛TA2的电解腐蚀剂,电解腐蚀剂中HF是一种酸性很强的氧化剂,再加入(NH4)2S2O8的是起到增强HF氧化性的作用,而乙醇则是为了很好的将两者融合在一起,作为一种稀释剂。该电解腐蚀剂配制简单,侵蚀效果好,无污染,对工业纯钛TA2进行金相检查,可以更好的显示工业纯钛TA2的显微组织,能够客观地反映出TA2的组织形貌,α相的形态以及晶粒边界等。

本发明公开的工业纯钛TA2的电解抛光腐蚀方法,使用电化学腐蚀对研磨处理后的TA2表面进行腐蚀,抛光电压:45-55V,电解液流量15-25,抛光时间45-55s;腐蚀电压:20-25V,电解液流量15-25,腐蚀时间3-7s。然后在光学显微镜下观察其显微组织;该方法能够清晰的检测贫化层,为金相法检测贫化层提供直观的检测效果,且腐蚀效果较好,是一种检测工业纯钛TA2的有效方法,不会影响到TA2的金相检测结果。

附图说明

图1为本发明实施例1电解抛光腐蚀处理后的腐蚀效果图;

图2为本发明对比例1电解抛光腐蚀处理后的腐蚀效果图;

图3为本发明对比例2电解抛光腐蚀处理后的腐蚀效果图;

图4为本发明对比例3电解抛光腐蚀处理后的腐蚀效果图;

图5为本发明对比例4电解抛光腐蚀处理后的腐蚀效果图。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明,所述是对本发明的解释而不是限定。

本发明提供了一种工业纯钛TA2的电解抛光腐蚀方法,所述的方法是使用电化学腐蚀对研磨处理后的TA2表面进行腐蚀,抛光腐蚀时间为50s,然后在光学显微镜下观察其显微组织;通过改变电解腐蚀溶剂的配方、放置时间、浸蚀时间等进行了大量的试验,最终得到结论:采用本发明的(1号)电解腐蚀剂,可以得出组织清晰,晶粒边界分明的抛光腐蚀的效果。

1号电解液成分为:HF:90ml,(NH4)2S2O8:10g,CH3CH2OH:200ml,蒸馏水:360ml;

同时,本发明过程中,给出了两个对比例的电解腐蚀剂,其电解抛光腐蚀的效果都无法将TA2的金相组织清晰的显现出来。

2号电解腐蚀剂:配比为HF:HNO3:H2O=1:2:3(体积比);

3号电解腐蚀剂:配比为HF:CH2CH3OH:H2O=1:2:4(体积比)。

2号腐蚀剂是在常规钛合金腐蚀剂的基础上进行改良,3号腐蚀剂则是在2号腐蚀剂基础上,进行溶液配比物的更换得到的对比腐蚀剂。

实施例1

将退火态的工业纯钛TA2,采用牙托粉进行镶嵌,固化后按照金相试样的制备方法,依次采用120#,320#,600#(1000#)的砂纸进行研磨。更换砂纸后磨削方向与上道砂纸的磨痕垂直,把上道工序的磨痕去除。在每种砂纸磨制结束后,都应该对样品进行清洗,避免把上一道工序的残留磨料残留到下一道工序中,以保护样品表面。

研磨完毕的试样,采用1号电解腐蚀剂(HF:90ml,(NH4)2S2O8:10g,CH3CH2OH:200ml,蒸馏水:360ml)进行电解腐蚀,电解腐蚀参数为:抛光电压:50V,电解液流量:20,电解抛光腐蚀时间50s;腐蚀电压:25V,电解液流量20,腐蚀时间5s。腐蚀效果见图1,从图1可以看出,金相组织清晰,晶粒边界分明的抛光腐蚀的效果,能清洗看出TA2的组织晶粒,基本为等轴的α相。

对比例1

将退火态的工业纯钛TA2,采用牙托粉进行镶嵌,固化后按照金相试样的制备方法,依次采用120#,320#,600#(1000#)的砂纸进行研磨。更换砂纸后磨削方向与上道砂纸的磨痕垂直,把上道工序的磨痕去除。在每种砂纸磨制结束后,都应该对样品进行清洗,避免把上一道工序的残留磨料残留到下一道工序中,以保护样品表面。

研磨完毕的试样,采用2号电解腐蚀剂(HF:HNO3:H2O=1:2:3(体积比))进行电解腐蚀,电解腐蚀参数为:抛光电压:40V,电解液流量:20,抛光时间8s;腐蚀电压:25V,电解液流量20,腐蚀时间5s。腐蚀效果见图2;从图中的腐蚀效果可以隐约看出一些晶粒边界,但不完整,组织形态也有一些模糊,不能很完满的显示TA2的组织全貌。

对比例2

将退火态的工业纯钛TA2,采用牙托粉进行镶嵌,固化后按照金相试样的制备方法,依次采用120#,320#,600#(1000#)的砂纸进行研磨。更换砂纸后磨削方向与上道砂纸的磨痕垂直,把上道工序的磨痕去除。在每种砂纸磨制结束后,都应该对样品进行清洗,避免把上一道工序的残留磨料残留到下一道工序中,以保护样品表面。

研磨完毕的试样,采用2号电解腐蚀剂(HF:HNO3:H2O=1:2:3(体积比))进行电解腐蚀,电解腐蚀参数为:抛光电压:40V,电解液流量:15,抛光时间8s;腐蚀电压:25V,电解液流量20,腐蚀时间5s。腐蚀效果见图3;从图中可以看出,比图2腐蚀效果稍好一些,晶粒显现出来,但是存在腐蚀后的浮凸感觉,依然存在一些腐蚀后的假象,未能将组织形态全部呈现出来。

对比例3

将退火态的工业纯钛TA2,采用牙托粉进行镶嵌,固化后按照金相试样的制备方法,依次采用120#,320#,600#(1000#)的砂纸进行研磨。更换砂纸后磨削方向与上道砂纸的磨痕垂直,把上道工序的磨痕去除。在每种砂纸磨制结束后,都应该对样品进行清洗,避免把上一道工序的残留磨料残留到下一道工序中,以保护样品表面。

研磨完毕的试样,采用3号电解腐蚀剂(HF:CH2CH3OH:H2O=1:2:4(体积比))进行电解腐蚀,电解腐蚀参数为:抛光电压:45V,电解液流量:15,抛光时间16s;腐蚀电压:25V,电解液流量20,腐蚀时间5s。腐蚀效果见图4;从图中可以看出,腐蚀效果明显不如前三幅图效果好,并且粗磨过程中的划痕还清晰的存在,该腐蚀剂的电解抛光效果不佳。晶粒隐约呈现出来,不能很好的辨认。

对比例4

将退火态的工业纯钛TA2,采用牙托粉进行镶嵌,固化后按照金相试样的制备方法,依次采用120#,320#,600#(1000#)的砂纸进行研磨。更换砂纸后磨削方向与上道砂纸的磨痕垂直,把上道工序的磨痕去除。在每种砂纸磨制结束后,都应该对样品进行清洗,避免把上一道工序的残留磨料残留到下一道工序中,以保护样品表面。

研磨完毕的试样,采用3号电解腐蚀剂(HF:CH2CH3OH:H2O=1:2:4(体积比))进行电解腐蚀,电解腐蚀参数为:抛光电压:45V,电解液流量:15,抛光时间30s;腐蚀电压:25V,电解液流量20,腐蚀时间5s。腐蚀效果见图5;从图中可以看出,电解腐蚀后的晶粒存在浮凸感,并且清晰晶粒周围存在黑色的斑迹,而仍然存在一些未电解出来的晶粒组织。

综上所述,本发明提供的工业纯钛TA2的电解抛光腐蚀方法,其优点在于:通过采用本发明的腐蚀方法,能够清晰的贫化层,为金相法检测贫化层提供直观的检测效果。

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